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【最新技术】超出物理极限的第一个1 nm晶体管诞
发布于:2019-03-05 17:17 点击量:   打印本页 || 关闭窗口
据国外媒体报道,期待已久的计算机技术产业让位于好消息。
晶体管工艺尺寸是技术进步的难点指标,但晶体管越小,芯片尺寸就越大。处理器可以大大改进。
多年来,该技术的发展一直按照摩尔定律,换句话说,如果价格不变,可容纳在一个集成电路部件的数量将每18到24个月增加一倍,性能,但是,从芯片制造的角度看到的摩尔定律开始有些失败,因为7纳米是物理极限。在这些数字中,它们集中在物理形式中,从而产生量子隧道效应,这对于芯片制造来说是一个大问题。
此前,全球领先的半导体制造商,如英特尔,这是试图寻找一种新的材料,以产生7nm的晶体管取代硅,现在领导劳伦斯伯克利国家实验室。。两个负责硫化钼是原始半导体,但碳纳米管是负责控制逻辑门中电子的流动,仅只是本研究现在开始。毕竟,14纳米工艺模具中有超过10亿个晶体管。虽然大规模生产的难度非常大,使晶体管达到1纳米,但这项研究作为一个非常重要的指导方针仍然具有重要意义。新材料的发现将极大地提高未来计算机的计算能力。
调查结果
作者:中关村在线